[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
申请号: | 201310282657.7 | 申请日: | 2013-07-06 |
公开(公告)号: | CN104282541B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 钟汇才;梁擎擎;朱慧珑;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/45;H01L29/78 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法。在衬底上形成一层金属‑石墨烯层,形成伪栅、侧墙、源/漏区、层间介质层,去除伪栅以及伪栅下面的金属‑石墨烯层,形成栅介质层和栅电极,最后刻蚀接触孔,填充接触孔,并进行平坦化。相应地,本发明还提供了一种半导体结构,利于减小源/漏区的接触电阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体结构的制造方法,其特征在于,该方法包括:a)提供衬底(100),在所述衬底中形成浅沟槽隔离结构(110)以及有源区;b)在所述衬底(100)之上形成金属‑石墨烯层(200);c)在所述金属‑石墨烯层(200)上形成伪栅(220)、侧墙(400)以及层间介质层(300),在所述金属‑石墨烯层(200)下方的衬底(100)中形成源/漏区(230);d)去除所述伪栅(220)以及所述伪栅下面的金属‑石墨烯层;e)在所述伪栅(220)的位置形成栅极堆叠,所述栅极堆叠包括栅介质层(210)和栅电极(250);f)通过刻蚀所述层间介质层(300)形成到达所述金属‑石墨烯层(200)的接触孔(600),以导电材料填充所述接触孔(600),并进行平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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