[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310282657.7 申请日: 2013-07-06
公开(公告)号: CN104282541B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 钟汇才;梁擎擎;朱慧珑;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/45;H01L29/78
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 代理人: 朱海波
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种半导体结构的制造方法。在衬底上形成一层金属‑石墨烯层,形成伪栅、侧墙、源/漏区、层间介质层,去除伪栅以及伪栅下面的金属‑石墨烯层,形成栅介质层和栅电极,最后刻蚀接触孔,填充接触孔,并进行平坦化。相应地,本发明还提供了一种半导体结构,利于减小源/漏区的接触电阻。
搜索关键词: 一种 半导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体结构的制造方法,其特征在于,该方法包括:a)提供衬底(100),在所述衬底中形成浅沟槽隔离结构(110)以及有源区;b)在所述衬底(100)之上形成金属‑石墨烯层(200);c)在所述金属‑石墨烯层(200)上形成伪栅(220)、侧墙(400)以及层间介质层(300),在所述金属‑石墨烯层(200)下方的衬底(100)中形成源/漏区(230);d)去除所述伪栅(220)以及所述伪栅下面的金属‑石墨烯层;e)在所述伪栅(220)的位置形成栅极堆叠,所述栅极堆叠包括栅介质层(210)和栅电极(250);f)通过刻蚀所述层间介质层(300)形成到达所述金属‑石墨烯层(200)的接触孔(600),以导电材料填充所述接触孔(600),并进行平坦化。
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