[发明专利]双反熔丝有效
| 申请号： | 201310285046.8 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103545291A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 许有志;尼尔·基斯特勒 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及双反熔丝，根据一个示例性实施方式，双反熔丝结构包括在公共半导体鳍中与第一可编程栅极相邻的第一沟道。双反熔丝结构还包括在公共半导体鳍中与第二可编程栅极相邻的第二沟道。第一反熔丝在第一沟道和第一可编程栅极之间形成。另外，第二反熔丝在第二沟道和第二可编程栅极之间形成。第一可编程栅极可以在公共半导体鳍的第一侧壁上，并且可以包括第一栅极电介质和第一电极。第二可编程栅极可以在公共半导体鳍的第二侧壁上，并且可以包括第二栅极电介质和第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 双反熔丝 | ||
【主权项】：
一种双反熔丝结构，包括：第一沟道，在公共半导体鳍中，所述第一沟道与第一可编程栅极相邻；第二沟道，在所述公共半导体鳍中，所述第二沟道与第二可编程栅极相邻；第一反熔丝，在所述第一沟道和所述第一可编程栅极之间形成；第二反熔丝，在所述第二沟道和所述第二可编程栅极之间形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国博通公司，未经美国博通公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310285046.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种风味金针菇苔干酱的制作方法
- 下一篇：一种苔干饺的制作方法
