[发明专利]一种硅片的湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310285289.1 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104278275A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 钟俊;田文燕;邓其明;李忠丽;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C30B33/10 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人： | 张怡 |
| 地址： | 贵州省贵阳*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的湿法刻蚀方法，旨在提供了一种操作简单、可有效防止硅片的背面产生多余刻蚀区的硅片的湿法刻蚀方法。硅片的外表面具有氧化层，硅片需通过湿法刻蚀去除氧化层的面为正面，与之相对面为背面，该方法包括以下步骤：（a）将硅片的正面朝下放置与腐蚀溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射性质稳定的气体；（b）经一定反应时间，取出硅片用水冲洗干净，备用。本发明能有效防止硅片的背面产生刻蚀区，使之符合工艺要求，且本发明操作简单，硅片的加工成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的湿法刻蚀方法，硅片的外表面具有氧化层，硅片需通过湿法刻蚀去除氧化层的面为正面，与之相对面为背面，其特征在于：该方法包括以下步骤：（a）将硅片的正面朝下放置与腐蚀溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射性质稳定的气体；（b）经一定反应时间，取出硅片用水冲洗干净，备用。
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