[发明专利]晶片对准方法和装置在审
| 申请号： | 201310285901.5 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104282607A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 赵超;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片对准的方法和装置。该晶片对准方法包括：在待对准晶片上形成对准标记；将对准标记耦合到位于待对准位置的激励源，该耦合引起该对准标记内部的电磁场发生变化；测量表示该对准标记内部的电磁场强度的一个或多个参数；以及将检测到一个或多个参数的最大值的晶片位置作为对准位置。本发明还公开了用于操作该晶片对准方法的装置。本发明的晶片对准方法和装置通过使用针对对准标记的电磁检测辅助手段，来实现晶片的对准。本发明的晶片对准方法特别适用于基于TSV的3D封装。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 对准 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于实现晶片对准的方法，包括以下步骤：a在所述晶片上形成对准标记；b将所述对准标记耦合到位于待对准位置的激励源，所述耦合引起电磁场发生变化；c测量表示所述耦合的强度的一个或多个参数；d将检测到所述一个或多个参数的最大值的晶片位置作为对准位置；以及e将所述晶片移动到所述对准位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
