[发明专利]铬离子印迹硅胶的制备方法

摘要

本发明提供一种铬离子印迹硅胶的制备方法。①：将硅胶用酸溶液浸泡后洗涤至中性，烘干得活化硅胶；②：将可溶性铬盐置于溶剂中加热搅拌至固体完全溶解，向溶液中加入3-氨基丙基三甲氧基硅烷并于搅拌条件下加热回流，加入正硅酸乙酯，加入活化硅胶继续于搅拌条件下加热回流得铬离子印迹硅胶初产物，将过滤后的铬离子印迹硅胶初产物用溶剂洗涤至无杂质检出后再用酸浸泡至无铬离子印迹硅胶检出，最后用水洗涤铬离子印迹硅胶至中性，烘干得最后产物。在分子印迹合成技术中以胺丙基硅烷为功能单体制备铬离子印迹硅胶的方法具有制备过程简便，易操作，所得铬离子印迹硅胶对铬离子具有较高的吸附容量和一定的选择性吸附功能，可将所合成的铬离子印迹硅胶装填成固相萃取小柱用于水样中铬离子的选择性萃取。

主权项

铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于包括以下步骤：①硅胶的活化：将硅胶用浓酸溶液浸泡后再用水洗涤至中性，烘干得活化硅胶后待用；②制备铬离子印迹硅胶：将可溶性铬盐置于溶剂中后加热搅拌至固体溶解得铬盐溶液，向溶液中加入3‑氨基丙基三甲氧基硅烷，于搅拌条件下加热回流，然后加入正硅酸乙酯，最后加入活化硅胶，经过以上步骤制得铬离子印迹硅胶初产物；③铬离子印迹硅胶的后处理：将所得铬离子印迹硅胶初产物过滤并用溶剂洗涤至无杂质检出，然后用酸浸泡至无铬离子印迹硅胶检出，最后用水洗涤铬离子印迹硅胶至中性，烘干得最后产物铬离子印迹硅胶。