[发明专利]测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法有效
| 申请号： | 201310286669.7 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104280614B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 | 代理人： | 朱海波,何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测量MOS器件侧墙厚度相关参数的方法，包括测量至少四个MOS器件阵列中每一个MOS器件阵列的电阻，其中每个MOS器件阵列包括至少两个等间距排列的MOS器件，所述MOS器件具有相同的沟道宽度和长度，并且都包括位于栅极两侧的相同宽度的侧墙；第一和第二引出部分，分别将MOS器件阵列最外侧的两个MOS器件的源区或漏区引出；以及第三引出部分，将所有MOS器件的栅极连接在一起引出，不同MOS器件阵列彼此之间在器件数量、沟道长度和器件间距中至少之一上有所不同而沟道宽度相同；并且每个MOS器件阵列的第一和第二引出部分具有相同的构造；根据测量结果计算侧墙下电阻的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 mos 器件 厚度 相关 参数 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种测量MOS器件侧墙厚度相关参数的方法，包括：测量至少四个MOS器件阵列中每一个MOS器件阵列的电阻，根据测量出的MOS器件阵列的电阻计算侧墙下电阻的大小；其中每个MOS器件阵列包括：至少两个等间距排列的MOS器件，所述MOS器件具有相同的沟道宽度和长度，并且都包括位于栅极两侧的相同宽度的侧墙；第一和第二引出部分，分别将MOS器件阵列最外侧的两个MOS器件的源区或漏区引出；以及第三引出部分，将所有MOS器件的栅极连接在一起引出，不同MOS器件阵列彼此之间在器件数量、沟道长度和器件间距中至少之一上有所不同而沟道宽度相同；并且每个MOS器件阵列的第一和第二引出部分具有相同的构造。
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