[发明专利]一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法无效
| 申请号： | 201310287139.4 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103325896A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;牛勇;李刚;刘仁锁 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，所述多量子阱有源层由3~20个Loop循环数的InyGa1-yN/GaN多量子阱组成，在所述3~20个Loop循环数的InyGa1-yN/GaN多量子阱有源层中的垒层进行P型掺杂。通过P型优化掺杂，使得量子阱中的电子和空穴浓度分布趋于均衡，有效调控电子和空穴的浓度分布，降低电子溢出浓度，改善量子阱中载流子辐射复合效率，提高芯片内量子效率，以实现发光效率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光 效率 氮化 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，所述多量子阱有源层由3~20个Loop循环数的InyGa1‑yN/GaN 多量子阱组成，其中0
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310287139.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
