[发明专利]晶圆级封装构造

摘要

本发明公开一种晶圆级封装构造，包含一半导体组件、一第一介电层、一重分布电路层、一第二介电层及至少一金属凸块，所述重分布电路层设置在所述第一介电层上，且包含一导线部、一扇形部及一垫片部，所述金属凸块包含一接触面及一端缘，所述接触面与所述垫片部连接，所述端缘位于所述接触面一侧且面对所述扇形部，所述端缘与扇形部之间具有一用以分散电流的缓冲距离。通过所述端缘与扇形部之间形成有缓冲距离，可扩大电流经过所述端缘的范围，进而分散所述金属凸块往扇形部移动的电流，降低所述金属凸块受到电子迁移的影响，以避免所述金属凸块产生龟裂或断开的情形。

主权项

一种晶圆级封装构造，其特征在于：所述晶圆级封装构造包含：一半导体组件，具有一有源表面，所述有源表面设有至少一导电接垫；一保护层，覆盖在所述有源表面及导电接垫上，且部分裸露所述导电接垫；一第一介电层，覆盖在所述保护层上，且部分裸露所述导电接垫；一重分布电路层，设置在所述第一介电层上，且包含：一导线部，其一端电性连接所述导电接垫；一扇形部，自所述导线部另一端延伸而成；及一垫片部，连接所述扇形部；一第二介电层，覆盖在所述第一介电层及重分布电路层上，且部分裸露所述垫片部，以定义一重分布焊垫区；及至少一金属凸块，设置在所述第二介电层及重分布焊垫区上，所述金属凸块包含：一接触面，与所述重分布焊垫区连接；及一端缘，位于所述接触面一侧且面对所述扇形部，所述端缘与扇形部之间具有一用以分散电流的缓冲距离。