[发明专利]三维相变化存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维相变化存储器装置及其制造方法，该三维相变化存储器装置用以在每个存储单元中储存多位；存储单元是以多个电阻的非重叠范围所代表，电阻的非重叠范围是以存储单元中的相变化存储材料的不同的非晶相厚度来建立。一存取阵列可位于多个导电层之下，导电层通过绝缘层彼此分离且与存取阵列分离。导电柱阵列延伸通过多个导电层且接触对应的存取阵列。相变化存储元件介于导电柱与导电层之间。电路利用编程脉冲，在存储单元中编程数据，编程脉冲具有脉冲形状，是依据编程之前的存储单元电阻范围与被储存的数据值决定。

主权项

一种存储器装置，包括：一存取阵列；多个导电层，通过多个绝缘层彼此分离且与该存取阵列分离；一导电柱阵列，延伸通过该多个导电层，在该导电柱阵列中的导电柱对应接触于该存取阵列中的存取阵列；以及多个存储单元，在该多个存储单元的各别的电流路径中具有相变化存储材料，该各别的电流路径介于这些对应的导电柱与这些对应的导电层之间，在所有该多个存储单元中的该相变化存储材料储存数据值，且该相变化存储材料在该各别的电流路径中，于一非晶相中具有不同的厚度。