[发明专利]一种栅氧化层的制备方法无效
| 申请号： | 201310287391.5 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103346077A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张红伟;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅氧化层的制备方法，包括：提供硅基衬底，并进行热氧化处理和热处理工艺，以形成二氧化硅栅氧化层；对二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成SiON栅氧化层；对SiON栅氧化层之表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；对经过表面激光处理的SiON栅氧化层进行高温退火工艺。本发明在对SiON栅氧化层进行高温退火之前，通过引入激光快速退火工艺对SiON栅氧化层的表面进行激光处理，不仅去除本征氧化层，防止有机物吸附而对氮掺杂造成不良影响，而且使得所形成的非晶化表面在防止表面氮原子挥发的同时，又能消除氮原子向SiO2/Si界面的扩散，进而确保其具有高和稳定的氮含量，实现对SiON栅介质介电系数精确剪裁，从而可有效提高器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的制备方法包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并对所述硅基衬底进行热氧化处理和热处理工艺，以在所述硅基衬底表面形成所述二氧化硅栅氧化层；执行步骤S2：对形成在所述硅基衬底表面的二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成所述SiON栅氧化层；执行步骤S3：对所述SiON栅氧化层之表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；执行步骤S4：对所述经过表面激光处理的SiON栅氧化层进行高温退火工艺，以修复所述晶格损伤和SiO2/Si之层间界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
