[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310287556.9 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103346218A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 祝进田 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区罗村街道朗沙村委*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底；位于所述衬底表面下的第一半导体层；位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。第一电极围绕第二电极，在对该LED芯片施加电压时，第一电极和第二电极之间的电流流向分散，使注入有源层的电流的密度分布均匀，提高了LED芯片的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面下的第一半导体层；位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。
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