[发明专利]一种提高多晶硅产出效率的方法有效
| 申请号： | 201310287571.3 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103361734A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 任东 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张龙哺 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高多晶硅产出效率的方法，包括：S30.在第一旋转式准分子激光退火前清洗机中以第一预定时间长度对载有非晶硅的基板进行氧化、蚀刻和再氧化处理；S40.在第二旋转式准分子激光退火前清洗机中以第二预定时间长度对所述载有非晶硅的基板进行清洗和干燥处理；以及S20.在准分子激光退火机中以第三预定时间长度对所述非晶硅进行退火和结晶处理，其中，所述步骤S30、所述步骤S40和所述步骤S20以所述步骤S30、所述步骤S40和所述步骤S20的顺序串联地连续执行，并且所述第一预定时间长度和所述第二预定时间长度都不大于所述第三预定时间长度。本申请能够大幅度提高多晶硅系统的产能，而且有利于制备高品质的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 多晶 产出 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高多晶硅产出效率的方法，包括：S30.在第一旋转式准分子激光退火前清洗机中以第一预定时间长度对载有非晶硅的基板进行氧化、蚀刻和再氧化处理；S40.在第二旋转式准分子激光退火前清洗机中以第二预定时间长度对所述载有非晶硅的基板进行清洗和干燥处理；以及S20.在准分子激光退火机中以第三预定时间长度对所述非晶硅进行退火和结晶处理，其中，所述步骤S30、所述步骤S40和所述步骤S20以所述步骤S30、所述步骤S40和所述步骤S20的顺序串联地连续执行，并且所述第一预定时间长度和所述第二预定时间长度都不大于所述第三预定时间长度。
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