[发明专利]一种透光型硅薄膜太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201310288388.5 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104282807A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴泓;宗华;尤长林;顾中强;卫成刚;刘聪 | 申请（专利权）人： | 国电光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 成立珍 |
| 地址： | 214203 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透光型硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：激光划刻前电极；非晶硅-微晶硅基薄膜电池沉积；激光划刻硅基薄膜层；利用掩膜溅射镀银电极；湿法蚀刻去除没有银层覆盖的硅基薄膜形成透光栅线；激光划刻，形成透光型硅薄膜太阳能电池。本发明所披露的方法可以制造低成本、高效率的透光型硅薄膜太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透光 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透光型硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）激光划刻前电极；（2）非晶硅‑微晶硅基薄膜电池沉积；（3）激光划刻硅基薄膜层；（4）利用掩膜溅射镀银电极；（5）湿法蚀刻去除没有银层覆盖的硅基薄膜形成透光栅线；（6）激光划刻，形成透光型硅薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
