[发明专利]一种MTJ纳米柱阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201310288623.9 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103359683A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘辉;程晓敏;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MTJ纳米柱阵列的制备方法，包括S1在基底上表面制备电子束光刻对准所需要的定标符；S2根据定标符在基底上表面制备底电极层，底电极层包括多条平行的底电极线；S3在附着有底电极层的基底上表面涂覆一层HSQ，通过电子束曝光对HSQ层进行图形化，在每一条底电极线上形成多个绝缘单元；每一个绝缘单元的中间具有一个孔；S4依次通过光刻、溅射和剥离工艺在绝缘单元的孔内形成磁性多层膜层；磁性多层膜层从下往上依次为自由层、隧穿势垒层、被钉扎层、钉扎层；S5在磁性多层膜层上制备顶电极层并形成MTJ纳米柱阵列。本发明采用HSQ经过电子束曝光形成绝缘层，减少了工艺步骤，大大降低成本，减小工艺误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mtj 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MTJ纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： S1：在基底上表面制备电子束光刻对准所需要的定标符； S2：根据所述定标符在基底上表面制备底电极层，所述底电极层包括多条平行的底电极线； S3：在附着有底电极层的基底上表面涂覆一层HSQ，通过电子束曝光对HSQ层进行图形化，在每一条底电极线上形成多个绝缘单元；每一个绝缘单元的中间具有一个孔； S4：依次通过光刻、溅射和剥离工艺在所述绝缘单元的孔内形成磁性多层膜层；所述磁性多层膜层从下往上依次为自由层、隧穿势垒层、被钉扎层、钉扎层； S5：在所述磁性多层膜层上制备顶电极层并形成MTJ纳米柱阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310288623.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种并行式易收纳耳机线
- 下一篇：一种剪叉高空作业平台的滑动轴安装结构
