[发明专利]一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法无效

专利信息
申请号: 201310288716.1 申请日: 2013-07-10
公开(公告)号: CN103334104A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 林学春;高文焱;赵树森;王奕博;刘发兰;周春阳 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C23C24/10 分类号: C23C24/10;B23K26/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法,该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆,采用负离焦方式,激光束焦平面位于工件表面下方;利用高斯分布或近似高斯分布的激光束在传播路径上光束截面能量密度分布的特点,采用负离焦方式进行激光熔覆,激光熔覆过程中控制负离焦量在4mm~50mm范围内;最终获得稀释率极低,且与工件良好冶金结合的激光熔覆涂层。
搜索关键词: 一种 获得 稀释 涂层 激光 方法
【主权项】:
一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法,其特征在于,该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆,采用负离焦方式,激光束焦平面位于工件表面下方,具体包括:步骤1:在激光熔覆前,确定激光束焦平面位置;步骤2:将激光束焦平面与工件待加工表面重合后,沿工件待加工表面法线方向移动激光熔覆头,使其靠近工件,确定激光熔覆头的移动距离;步骤3:确定好激光熔覆头位置后,将激光熔覆的侧向送粉喷嘴固定,使激光熔覆的侧向送粉喷嘴对准工件待加工表面激光辐照位置;步骤4:确定激光熔覆的工艺参数,至少包括激光输出功率、激光扫描速度、熔覆粉末的送粉率;步骤5:设置好工艺参数后,激光熔覆头输出激光束,同时激光熔覆头按照设定的扫描速度开始移动,熔覆粉末从侧向送粉喷嘴中喷出,落入激光束辐照区域,熔化并在工件表面形成熔池,随着激光束的移走,熔池快速凝固,形成熔覆涂层。
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