[发明专利]一种通孔阳极氧化铝的制备方法

摘要

本发明提供了一种通孔阳极氧化铝膜的制备方法。其特征在于制备的通孔阳极氧化铝膜具有圆孔的六方形晶胞组成的多孔结构，孔径范围为50～200nm，孔道垂直于膜表面，孔径分布均匀。其制备方法为将铝片基底进行预处理、电化学抛光后，将铝基底和聚酯片以及聚酯框热压成“三合一”结构，使其在氧化过程中，只有一面进行电化学氧化。这种制备方法大大简化了实验装置，简单易行。本膜可以用作超滤和微滤的分离膜以及制备功能材料、纳米材料的模板。

主权项

一种通孔阳极氧化铝膜的制备方法，其特征在于，其制备步骤是：（1）将表面平整的0.2～0.3mm的铝片基底进行清洗处理后，与已经裁剪好的与基底形状相同尺寸略大的聚酯片和中空的外形与聚酯片形状尺寸相同的聚酯框依次叠合，在热压条件下压合在一起，形成“三合一”结构；（2）将具有“三合一”结构的铝片基底在抛光液中进行电化学抛光，铝片基底的聚酯框一侧表面形成镜面结构，然后在0.2～0.3mol/L的草酸溶液中采用二次氧化法，得到带有基底的多孔氧化铝膜；所述二次氧化法具体为：以铝片为工作电极，石墨为对电极，电极间距为2.5～5cm，以0.2～0.3mol/L的草酸溶液为电解质，氧化温度为0～20℃，氧化电压为20～45V，一次氧化时间为2～8h，在（6wt.%H₃PO₄+1.8wt.%H₂CrO₄）混合液中浸泡8～12h，清洗后进行二次氧化，二次氧化与一次氧化条件相同，氧化时间为4～40h;（3）等阳极氧化结束后，采用逐步降压法使得多孔氧化铝膜从基底上分离；所述逐步降压法为：将工作电极和石墨电极对调，初始电压设定为20～25V，按0.5～2.0V/min的降压速率降压，并且每降低4～5V便稳定1‑10min，直至电压将为0V，多孔阳极氧化铝膜就会从基底上脱落，然后在磷酸溶液（浓度为5wt.%）中进行扩孔处理10～20min，得到通孔阳极氧化铝膜片。