[发明专利]高精度无电阻带隙基准电压源

摘要

本发明涉及一种高精度无电阻带隙基准电路。本发明公开了一种高精度无电阻带隙基准电压源，包括负温电流产生电路，正温电流产生电路，一阶正温电压叠加电路，低温电流补偿电路，高温电流补偿电路。负温电流产生电路用于产生负温电流，所述正温电流产生电路用于产生正温电流，所述正温电流产生电路的一个基极和集电极接地的PNP三极管Q1的发射极连接到一阶正温电压叠加电路，所述正温电流为一阶正温电压叠加电路提供偏置电流，一阶正温电压叠加电路实现正温电压和负温电压的叠加，并输出基准电压VREF。本发明具有很好的温度特性，能够提供更高的基准电压精度。本发明未采用电阻模型，能够很好兼容一些无电阻或者电阻模型精度不高的工艺。

主权项

高精度无电阻带隙基准电压源，包括负温电流产生电路，正温电流产生电路，一阶正温电压叠加电路，低温电流补偿电路，高温电流补偿电路；所述负温电流产生电路由5个PMOS管：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管，7个NMOS管：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管，第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管，以及第一电容组成；具体连接关系：五个PMOS管的源极接电源电压，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管栅极连接在一起，第一PMOS管的栅极和漏极短接，第四PMOS管的栅极与第五PMOS管的漏极连接，第二PMOS管和第四PMOS管的漏极连接；第一NMOS管的漏极接到第一PMOS管漏极，栅极与第三NMOS管以及第二PMOS管和第四PMOS管的漏极连接在一起，源极连接到第二NMOS管的栅极和漏极，第三NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管的栅极和第五NMOS管的漏极一起连接到第三PMOS管的漏极，第四NMOS的栅极和漏极连接第三NMOS的源极，第二NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极和源极连接地电位；第一电容的正端接第五PMOS管的漏极，负端接地电位；所述正温电流产生电路，由5个PMOS管：第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管，5个NMOS管：第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管，三个PNP管：第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管，以及第二电容组成；具体连接关系：五个PMOS管的源极接电源电压，第六PMOS管、第七PMOS管、第第八PMOS管、第十PMOS管栅极连接在一起，第六PMOS管的栅极和漏极短接，第九PMOS管的栅极与第十PMOS管的漏极连接，第七PMOS管和第九PMOS管的漏极连接；第八NMOS管的漏极连接第六PMOS管的漏极，栅极与第十二NMOS管的栅极连接到第九PMOS管的漏极，第十NMOS管的栅极和漏极、第九NMOS管、第十一NMOS管的栅极连接第八PMOS管的漏极，第十NMOS管的源极和第十一NMOS管的漏极相连，第十二管的源极和漏极接地电位；第一PNP管的发射极接第八NMOS管的源极，第二PNP管的发射极接第九NMOS管的源极，第三PNP管的发射极接第十一NMOS管的源极，第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管的基极和集电极接地电位；第二电容正端接第十PMOS管的漏极，负端接地电位；一阶正温电压叠加电路由7个PMOS管：第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管，4个NMOS管：第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管组成；具体连接关系：第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、 第十五PMOS管的源极接电源电压，第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十五PMOS管的栅极接正温电流产生电路中第六PMOS管的栅极，第十三PMOS管的栅极和漏极连接第十四PMOS管栅极，第十六PMOS管的源极接第十二PMOS管的漏极，栅极接正温电流产生电路中第一PNP管的发射极，漏极接地电位，第十七PMOS管的源极接第十五PMOS管的漏极，栅极接第十四PMOS管的漏极，源极接地电位；第十三NMOS管的漏极接第十三PMOS管的漏极，栅极接十二PMOS管的漏极，第十四NMOS管的漏极接第十四PMOS管的漏极，栅极接第十五PMOS管的漏极，第十三NMOS管和第十四NMOS管的源极接第十六NMOS管的漏极，第十五NMOS的漏极和栅极、第十六NMOS管的栅极接第十一PMOS管的漏极，两个管子的源极接地电位；低温电流补偿电路由5个PMOS管：第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管、第二十二PMOS管，2个NMOS管：第十七NMOS管，第十八NMOS管组成；具体连接关系：五个PMOS管的源极连接电源电压，第十八PMOS管的栅极接正温电流产生电路第六PMOS管的栅极，第十九PMOS管的栅极和漏极连第二十PMOS管的栅极，第二十PMOS管的漏极、第二十二PMOS管的栅极、第二十一PMOS管的栅极和漏极相连，第二十二PMOS管的漏极接正温电流产生电路中第一PNP管的发射极；第十七NMOS的栅极和漏极、第十八NMOS的栅极接第十八PMOS管的漏极，第十八NMOS的漏极接第十九PMOS管的漏极，两个NMOS的源极接地电位；高温电流补偿电路由5个PMOS管：第二十三PMOS管、第二十四PMOS管、第二十五PMOS管、第二十六PMOS管、第二十七PMOS管，4个NMOS管：第十九NMOS管、第二十NMOS管、第二十一NMOS管、第二十二NMOS管组成；具体连接关系：五个PMOS的源极接电源电压，第二十三PMOS管的栅极接负温电流产生电路第一PMOS管的栅极，第二十四PMOS管的栅极和漏极接第二十五PMOS管的栅极，第二十五PMOS管的漏极、第二十六PMOS管的栅极和漏极、第二十七PMOS管的栅极相接，第二十七PMOS管的漏极接正温电流产生电路第一PNP管的发射极；第十九NMOS管的栅极和漏极、第二十NMOS管和第二十一NMOS管的栅极接第二十三PMOS管的漏极，第二十NMOS管的漏极接低温电流补偿电路第二十PMOS管的漏极，第二十一NMOS管的漏极接第二十四PMOS管的漏极，第二十二NMOS管的漏极接第二十五PMOS管的漏极，栅极接低温电流补偿电路中第十七NMOS管的栅极，电路中4个NMOS管的源极接地电位。