[发明专利]一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310289506.4 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103334155A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈朝;范宝殿;蔡丽晗;陈蓉 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×1019-1×1022cm-3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×104～1×105cm-1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜；把带有钛薄膜的硅片用激光辐照；把激光辐照后的硅片进行退火处理；将退火后的硅片进行腐蚀，制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度，可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 杂质 中间 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×1019‑1×1022cm‑3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×104～1×105cm‑1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。
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