[发明专利]磁性随机存取存储器无效

专利信息
申请号: 201310290656.7 申请日: 2013-07-11
公开(公告)号: CN103544984A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 金燦景;车秀镐;姜东锡;朴哲佑;孙东贤;李润相;金惠珍 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种诸如磁性随机存取存储器(MRAM)的磁性存储设备,及在其上安装了磁性存储设备的存储模块和存储系统。MRAM包括:磁性存储单元,每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化;及提供各种接口功能的接口单元。存储模块包括模块板和安装在模块板上的至少一个MRAM芯片,并且进一步包括管理至少一个MRAM芯片的操作的缓冲器芯片。存储系统包括MRAM和与MRAM通信的存储控制器,并且通过使用连接在MRAM和存储控制器之间的光链路,可以通信电向光转换信号或光向电转换信号。
搜索关键词: 磁性 随机存取存储器
【主权项】:
一种磁性随机存取存储器MRAM,包括:磁性存储单元,每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化;及接口电路,其被配置为根据时钟信号的上升沿和下降沿输入/输出从磁性存储单元读取或写到磁性存储单元的数据作为被称为DQ信号的数据输入/输出信号,其中,所述接口电路被配置为响应于伴随DQ信号生成的数据选通信号而锁存DQ信号,其中,时钟信号的沿发生在锁存的DQ信号的窗口中心。
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