[发明专利]一种穿通型瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201310290858.1 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103354229A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;曾杰;郭维;钟雷 | 申请（专利权）人： | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种穿通型瞬态电压抑制器，包括P衬底，P衬底上表面设有一层氧化层，氧化层从中部划分为阳极区域和阴极区域；P衬底上表面位于阳极区域内设有一具有第二导电类型的N阱，N阱内设有一具有第二导电类型的第一N+有源注入区；P衬底上表面位于阴极区域内设有一具有第一导电类型的P阱，P阱内设有一具有第二导电类型的第二N+有源注入区；第一N+有源注入区上设有阳极金属连接片；第二N+有源注入区上设有阴极金属连接片。本发明的穿通型瞬态电压抑制器，具有合适的触发电压，高的正向和反向钳位能力，能有效的防护正向和负向的静电脉冲，ESD防护效果好，且消耗芯片面积小，成本低廉，容易实现，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 穿通型 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
一种穿通型瞬态电压抑制器，包括P衬底（01），其特征在于：所述P衬底（01）上表面设有一层氧化层（02），所述氧化层（02）从中部划分为阳极区域和阴极区域；所述 P衬底（01）上表面位于阳极区域内设有一具有第二导电类型的N阱（03），所述N阱（03）内设有一具有第二导电类型的第一N+有源注入区（05）；所述 P衬底（01）上表面位于阴极区域内设有一具有第一导电类型的P阱（04），所述P阱（04）内设有一具有第二导电类型的第二N+有源注入区（06）；所述第一N+有源注入区（05）上设有连接到器件阳极的阳极金属连接片（07）；所述第二N+有源注入区（06）上设有连接到器件阴极的阴极金属连接片（08）。
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