[发明专利]一种自适应抗软错误存储单元及存储电路有效
| 申请号： | 201310291109.0 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104282331B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘军华;杨丽杰;洪阳;廖怀林 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自适应抗软错误存储单元及存储电路。存储单元包括一由两个反相器构成的交叉耦合结构，两反相器的漏端分别与一可变电容C1、C2连接，C1、C2的控制端与一参考电压产生模块的参考电压输出端连接；两反相器的漏端分别与一选通管的漏端连接，两选通管的栅极分别与字线WL连接，一选通管的源端与位线BL连接，另一选通管的源端与位线NBL连接；参考电压产生模块输出的参考电压VB与存储单元的工作电压VDD正相关。存储电路包括多个自适应抗软错误存储单元。本发明具有面积小、适用性强、灵活度高等特定，适于工作在高速高压的状态下，也可以工作在低速低压的状态下的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 错误 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种自适应抗软错误存储单元，其特征在于包括一由两个反相器构成的交叉耦合结构，两所述反相器的漏端分别与一可变电容C1、C2连接，可变电容C1、C2的控制端与一参考电压产生模块的参考电压输出端连接；两反相器的漏端分别与一选通管的漏端连接，两选通管的栅极分别与字线WL连接，一选通管的源端与位线BL连接，另一选通管的源端与位线NBL连接；其中，所述参考电压产生模块输出的参考电压VB与存储单元的工作电压VDD正相关。
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