[发明专利]应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅及其制备方法

摘要

本发明公开了一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅及其制备方法，包括以下步骤：1)在硅基片上依次生长第一栅氧化层和氮化硅层；2)依次刻蚀氮化硅层和第一栅氧化层以形成沟槽开口；3)在沟槽开口处生长一二氧化硅层；4)刻蚀去除沟槽开口处的二氧化硅层；5)刻蚀硅基片，形成沟槽；6)在沟槽侧壁和圆滑后的沟槽顶角处生长第二栅氧化层；7)去除沟槽表面剩余的氮化硅层；8)在沟槽内填充多晶硅；9)刻蚀后形成最终所需的由多晶硅、第一栅氧化层和第二栅氧化层组成的具有圆滑顶角的沟槽栅结构。本发明方法形成的具有圆滑顶角的沟槽栅结构，可以解决传统沟槽栅结构中因尖锐沟槽顶角而导致的击穿电压降低问题，提高整个器件最终的击穿电压。

主权项

一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，其特征在于，，包括以下步骤：(1)在需要制作沟槽栅的硅基片上依次生长第一栅氧化层和氮化硅层；(2)依次刻蚀氮化硅层和第一栅氧化层以形成沟槽开口；(3)使用热氧化法在沟槽开口处生长一二氧化硅层，形成圆滑后的沟槽顶角；(4)以沟槽表面剩余的氮化硅层为刻蚀掩模，刻蚀去除沟槽开口处的二氧化硅层；(5)以沟槽表面剩余的氮化硅层为刻蚀掩模，刻蚀硅基片，形成沟槽；(6)使用热氧化法在沟槽侧壁和圆滑后的沟槽顶角处生长第二栅氧化层，获得再次圆滑后的沟槽顶角；(7)使用湿法刻蚀法去除沟槽表面剩余的氮化硅层；(8)使用化学气相淀积方法在沟槽内填充多晶硅；(9)经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅、第一栅氧化层和第二栅氧化层组成的具有圆滑顶角的沟槽栅结构。