[发明专利]基底和断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法在审

申请号：	201310291734.5	申请日：	2013-07-11
公开（公告）号：	CN103545195A	公开（公告）日：	2014-01-29
发明（设计）人：	诺贝特·克劳斯;格奥尔格·泰斯	申请（专利权）人：	赛米控电子股份有限公司
主分类号：	H01L21/301	分类号：	H01L21/301;H01L21/78
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司 11219	代理人：	杨靖;车文
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明涉及一种基底和断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法，该方法具有以下方法步骤：a）提供基底（1），其中，基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），b）在绝缘材料体（2）上沿着基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）进行材料剥除，其中，材料剥除以如下方式执行，即，在至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中执行相对于在期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。本发明能够实现在断裂用于至少一个功率半导体构件的基底（1）时减少在绝缘材料体（2）上的不期望的裂缝。
搜索关键词：	基底断裂准备至少一个功率半导体构件方法
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【主权项】：

一种断裂准备至少一个功率半导体构件的基底（1）的方法，其具有以下方法步骤：a）提供所述基底（1），其中，所述基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），b）在所述绝缘材料体（2）上沿着所述基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）进行材料剥除，其中，材料剥除以如下方式执行，即，在至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中执行相对于在期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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