[发明专利]应用于电源快下电的电压检测电路

摘要

本发明公开了一种应用于电源快下电的电压检测电路，包括：分压电路，电压保护电路，比较器。分压电路包括两个串联的电阻，两个电容分别和两个电阻并联，且两个电容的阻抗比值等于两个电阻的阻抗比值。电压保护电路包括第一NMOS管和晶体管串接结构。本发明在外部电压源在快下电时能够通过两个电容对外部电压源进行分压，使得分压节点的分压电压能够随着外部电压源快速下降，并于基准电压进行比较，比较器快速翻转，从而实现电压检测电路的快速响应。

主权项

一种应用于电源快下电的电压检测电路，其特征在于，包括：分压电路，电压保护电路，比较器；所述分压电路用于对外部电压源进行分压并输出分压电压，所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容，所述第一电阻和所述第二电阻串联在所述外部电压源和地之间，所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点为分压节点并输出所述分压电压，所述第一电容的两端和所述第一电阻的两端相连实现所述第一电容和所述第一电阻的并联，所述第二电容的两端和所述第二电阻的两端相连实现所述第二电容和所述第二电阻的并联；所述第一电容和所述第二电容的阻抗比值等于所述第一电阻和所述第二电阻的阻抗比值；所述电压保护电路包括第一NMOS管和晶体管串接结构；所述第一NMOS管的工作电压范围大于所述外部电压源的变化范围，所述第一NMOS管的栅极连接内部电压源；所述第一NMOS管的漏极连接所述分压节点，所述第一NMOS管的源极连接所述比较器的第一输入端，所述第一NMOS管用于将所述分压电压传输到所述比较器的第一输入端，所述比较器的第二输入端连接基准电压；所述比较器的工作电源为所述内部电压源，所述比较器用于对所述分压电压和所述基准电压进行比较并输出电压检测信号；所述晶体管串接结构连接于所述第一NMOS管的源极和地之间；所述晶体管串接结构为由多个栅极和漏极短接的第二PMOS管串联起来的结构、且所述第二PMOS管的个数满足各所述第二PMOS管的阈值电压之和大于所述内部电压电源和所述第一NMOS管的阈值电压的差；或者，所述晶体管串接结构为由多个栅极和漏极短接的第三NMOS管串联起来的结构、且所述第三NMOS管的个数满足各所述第三NMOS管的阈值电压之和大于所述内部电压电源和所述第一NMOS管的阈值电压的差。