[发明专利]一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法无效
| 申请号： | 201310291973.0 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103409652A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 肖爽怀 | 申请（专利权）人： | 上海川禾实业发展有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;C22C27/04 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 陈淑章 |
| 地址： | 201702 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法，包括：将金属粉末与钼氧化物粉末均匀混合，还原气氛的保护下升温至300-1100℃，完成钼氧化物的蒸发沉积；再将经过蒸发沉积后的粉末在还原气氛的保护下加热至600-1100℃，实现钼氧化物的还原以及扩散预合金化。本发明以钼的氧化物作为钼源，利用其低温气化的原理，在还原性气氛的保护下，使钼的氧化物蒸发后冷凝沉积在基础粉颗粒上，再将这种氧化物的沉积物还原而形成钼，结合温度控制实现钼的扩散合金化；该制备方法简单，材料来源广泛，对设备无特殊要求，具有良好的工业化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 表面 改性 金属 体制 合金材料 方法 | ||
【主权项】：
一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,包括如下步骤：（1）原料预混：将金属粉末与钼氧化物粉末均匀混合，其中,根据最终制得的粉料中钼的含量以及氧化钼中钼的含量，理论推算对应的钼氧化物的添加量；（2）蒸发沉积：将混合好的原料在还原气氛的保护下升温，温度控制在300‑1100℃的范围内，保持2‑6小时，完成钼氧化物的蒸发沉积；（3）还原扩散：将经过蒸发沉积后的粉末在还原气氛的保护下，加热至600‑1100℃的范围内，保持3‑8小时，实现钼氧化物的还原以及扩散预合金化，最终制得钼合金材料。
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