[发明专利]像素阵列、图像传感器及补偿全局和局部暗电流的方法有效
申请号: | 201310292452.7 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN103546701B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 赵镛性;李东宰;金泰瓒 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/361 | 分类号: | H04N5/361;H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王艳娇;王占杰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种像素阵列、图像传感器及补偿局部暗电流的方法。提供一种用于图像传感器的像素阵列。所述像素阵列包括暗像素,该暗像素被构造为检测有源像素块中的局部暗电流。所述暗像素与光学黑色像素块不同,其中,所述光学黑色像素块被布置在有源像素块周围并被构造为检测全局暗电流。所述像素阵列被构造为补偿暗阴影,其中,所述暗阴影不通过使用从布置在有源像素块内的暗像素输出的局部暗电流的全局暗电流补偿进行补偿。 | ||
搜索关键词: | 像素阵列 暗电流 暗像素 图像传感器 源像素块 光学黑色像素 全局 阴影 暗电流补偿 检测 输出 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的像素阵列,包括:有源像素块,包括多个有源像素和至少一个暗像素,其中,所述多个有源像素布置成行和列并被构造为输出与光信号相应的电信号,所述至少一个暗像素被构造为产生局部暗电流,局部暗电流指基于像素的局部不同性质而产生的暗电流;光学黑色像素块,被布置在有源像素块周围并被构造为产生全局暗电流,其中,光学黑色像素块包括至少一个列光学黑色像素块和至少一个帧光学黑色像素块,所述至少一个列光学黑色像素块与有源像素的列对应地布置并被构造为产生存在于有源像素的列之间的全局暗电流,所述至少一个帧光学黑色像素块与有源像素的行对应地布置并被构造为产生存在于帧之间的全局暗电流,全局暗电流指由有源像素块的全部有源像素产生的暗电流,其中,所述至少一个暗像素包括至少一个被完全覆盖的像素和至少一个被部分覆盖的像素,所述至少一个被部分覆盖的像素位于与所述至少一个被完全覆盖的像素相邻的位置。
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