[发明专利]包括热辐射部的半导体芯片及半导体芯片的制造方法在审
申请号: | 201310293576.7 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN103545272A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 裵钟坤;禹宰赫;姜元植;金成起;金亮孝 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供包括热辐射部的半导体芯片及半导体芯片的制造方法,该半导体芯片包括:半导体基板,包括第一表面和第二表面;集成电路(IC),在半导体基板的第一表面上;以及热辐射部,在半导体基板的第二表面上。该热辐射部包括:在垂直于第二表面的方向上的热辐射图案;和在热辐射图案的上部上的热辐射层。该热辐射图案包括多个凹槽和多个突起,该热辐射层包括金属材料并且具有平坦的上表面。 | ||
搜索关键词: | 包括 热辐射 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片,包括:半导体基板,包括第一表面和第二表面;集成电路,在所述半导体基板的所述第一表面上;以及热辐射部,在所述半导体基板的所述第二表面上,该热辐射部包括:在垂直于所述第二表面的方向上的热辐射图案,该热辐射图案包括多个凹槽和多个突起,以及在所述热辐射图案的上部上的热辐射层,该热辐射层包括金属材料并且具有平坦的上表面。
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