[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201310293622.3 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103474468A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄金海;孙伯彰;黄思齐 | 申请（专利权）人： | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L29/221 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板、闸极电极、氧化物半导体层、闸极介电层、氧化物源极电极、氧化物汲极电极与金属连接组件。闸极介电层系至少部分设置于闸极电极与氧化物半导体层之间。氧化物源极电极与氧化物汲极电极系分别至少部分设置于氧化物半导体层与基板之间。金属连接组件设置于基板上，且金属连接组件于垂直于基板之垂直投影方向上与氧化物源极电极重迭。金属连接组件于垂直投影方向上不与氧化物半导体层重迭，且金属连接组件在与氧化物源极电极互相重迭之区域直接与氧化物源极电极接触而形成电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：其包括：一基板；一闸极电极，设置于该基板上；一氧化物半导体层，设置于该基板上；一闸极介电层，至少部分设置于该闸极电极与该氧化物半导体层之间；一氧化物源极电极与一氧化物汲极电极，其中该氧化物源极电极与该氧化物汲极电极分别至少部分设置于该氧化物半导体层与该基板之间；以及一金属连接组件，设置于该基板上，其中该金属连接组件于一垂直于该基板的垂直投影方向上与该氧化物源极电极重迭，该金属连接组件于该垂直投影方向上不与该氧化物半导体层重迭，且该金属连接组件在与该氧化物源极电极互相重迭之区域系直接与该氧化物源极电极接触而形成电性连接。
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