[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201310293667.0 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051018A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;郭乃萍;张坤龙;陈耕晖;王裕谦 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该存储器装置，包含非易失性电荷陷获存储器单元的一阵列，用以使用多个临界状态来储存多个数据值于该阵列中的这些存储器单元，其中这些临界状态包含一其最低临界值超过一选定的读取偏压的一较高临界状态；一控制器，包含一待机模式、一写入模式及一读取模式；保持检查程序在电源开启时执行，或者在待机模式时执行，用以辨识未通过一保持临界检查的这些较高临界状态的存储器单元；另外，提供一程序，用以重新编程这些辨识出的存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包含：多个存储器单元的一阵列，用以使用多个临界状态储存多个数据值于该阵列中的这些存储器单元，这些临界状态包含一最低临界值超过一选定的读取偏压的一较高临界状态；一控制器，包含一保持检查程序(retention check logic)，用以标识这些较高临界状态的存储器单元，这些较高临界状态的存储器单元具有包含未通过一保持临界检查(retention threshold check)的多个阈值电压，该控制器更包含一程序，用以改善这些标识出的存储器单元的这些阈值电压。
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