[发明专利]氟硅三嵌段共聚物及其制备方法在审
| 申请号： | 201310294117.0 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103435764A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 洪杰;魏川;叶映林 | 申请（专利权）人： | 三棵树涂料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08F293/00 | 分类号： | C08F293/00;C08F220/14;C08F220/22;C08G77/385 |
| 代理公司： | 福州科扬专利事务所 35001 | 代理人： | 徐开翟 |
| 地址： | 351100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于技术材料领域，具体涉及一种低催化剂浓度下用电子转移再生活化剂-原子转移自由基聚合(ARGET ATRP)制备氟硅三嵌段聚合物的方法。用过量的弱还原剂持续重新还原体系中的钝化剂，原位生成活化剂催化单体的原子转移自由基聚合。此过程可以原位消耗体系中难除尽的少量氧气；同时，可以大大降低聚合体系中催化剂的用量；在后续过程中可以避免除铜步骤。本发明提供一种催化剂浓度低、反应条件温和、适于产业化生产氟硅三嵌段聚合物的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 三嵌段共聚物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氟硅三嵌段共聚物，其特征在于聚合物为聚二甲基硅氧烷-b-聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚甲基丙烯酸七氟丁基酯，其结构式为：![]()
其中，x,y,z分别为各链段聚合度。
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