[发明专利]一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法有效
| 申请号： | 201310294497.8 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103377612A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 孙镇;黄勇;黄光佐;梁涛 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/28 | 分类号： | G09G3/28 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法的技术方案，该方案利用对行扫描芯片的输出端进行分组控制，同时在低压管输入端加入钳位管和PN结电容，能够有效地降低在行扫描芯片高压并发动作的过程中由于穿通带来的高压电源大电流造成的EMI辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 等离子 显示器 emi 低频 标的 扫描 芯片 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法，其特征是：包括以下步骤：a. 行扫描芯片并发操作时，对行扫描芯片的96路输出通道进行分组处理；b. 96路输出通道总共分成4组，每组24路，第一组与第二组间延时为40ns，第二组与第三组间延时为60ns，第三组与第四组间延时为50ns；c. 在行扫描芯片的低压管输入端加入钳位管和PN结电容。
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