[发明专利]背照式图像传感器及其制作方法有效
申请号: | 201310294893.0 | 申请日: | 2013-07-15 |
公开(公告)号: | CN103367381A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 赵立新 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王刚 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种背照式图像传感器及其制作方法,所述背照式图像传感器包括:硅片层,其包括用于感光产生电信号的光电二极管,所述硅片层具有正表面和背表面;后端层,其设置于所述硅片层的正表面,所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层;入光层,其包括微透镜层和滤光膜层,所述入光层设置于所述硅片层背表面;所述后端层还包括:吸光层,其设置于所述后端层预设位置,所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线。本发明采用的吸光层吸收从器件层透射过来的光线,由此大大降低透射光线被反射到其他像素的机会,从而降低相邻像素之间的相互串扰。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种背照式图像传感器,包括:硅片层,其包括用于感光产生电信号的光电二极管,所述硅片层具有正表面和背表面;后端层,其设置于所述硅片层的正表面,所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层;入光层,其包括微透镜层和滤光膜层,所述入光层设置于所述硅片层背表面;其特征在于,所述后端层还包括:吸光层,其设置于所述后端层预设位置,所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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