[发明专利]制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法

摘要

一种场截止型绝缘栅双极晶体管器件的制备方法，在衬底上外延生长形成重掺杂的N型外延层作为场截止层，接着在场截止层注入N型杂质，然后外延生长形成轻掺杂的N型外延层作为耐压层，接着进行常规正面工艺，然后进行背面减薄工艺，接着在背部注入P型杂质并退火形成P型集电区，然后进行常规背面金属化工艺。采用本方法，生产周期较短，且不需要昂贵的高能离子注入设备和激光退火设备，可以按器件需求控制场截止层厚度和杂质浓度，并使减薄工艺难度降低，既提高了器件性能，也降低了工艺难度。本方法对衬底选取较自由，可选择成本较低的衬底。

主权项

一种制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，包括下列步骤：提供衬底；在所述衬底正面外延生长形成重掺杂的N型外延层，作为场截止层；在所述场截止层注入N型杂质；在所述场截止层上外延生长形成轻掺杂的N型外延层，作为耐压层；在所述耐压层上制造所述场截止型绝缘栅双极晶体管的正面结构；将所述衬底自背面开始进行减薄处理；自所述减薄后的衬底背面进行P型离子注入并退火；对所述衬底背面进行背面金属化。