[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、光刻工艺

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、光刻工艺，所述光刻工艺使用半灰阶掩膜板进行曝光，曝光显影后，依次去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的膜层A、半灰阶掩膜板的第一区域对应的膜层B和半灰阶掩膜板的第三区域对应的膜层A，完成刻蚀。此种光刻工艺只需经过一次通过半灰阶掩膜板的曝光，就能满足对膜层A和膜层B的刻蚀要求，可以减少光刻工艺的制程，从而达到简化光刻工艺的目的，降低制作成本。当应用此种光刻工艺制作薄膜晶体管时，可以将薄膜晶体管的制作工艺由六次光刻简化为四次光刻，简化了薄膜晶体管的制作方法，降低了薄膜晶体管的制作成本。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺制作薄膜晶体管的栅极和透明电极，包括：提供一基板；在所述基板表面形成硅岛；在所述基板形成有硅岛的表面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述基板和所述硅岛；在所述绝缘层的表面形成透明电极层和栅极层，其中，所述透明电极层位于所述绝缘层和所述栅极层之间；在所述栅极层表面形成光刻胶层；使用半灰阶掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半灰阶掩膜板包括第一区域、第二区域和第三区域，且所述第一区域和第二区域的透光性能相反，所述第三区域是半透光区域；显影去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的光刻胶层，并减薄半灰阶掩膜板的第三区域对应的光刻胶层；去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的栅极层；去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的透明电极层和半灰阶掩膜板的第三区域对应的光刻胶层，并减薄半灰阶掩膜板的第二区域对应的光刻胶层；去除半灰阶掩膜板的第三区域对应的栅极层；去除半灰阶掩膜板的第二区域对应的光刻胶层，形成透明电极和栅极；在所述透明电极、栅极和绝缘层的表面形成钝化层，并在所述钝化层和绝缘层内形成过孔；在所述基板形成有钝化层的表面形成源极和漏极，所述源极通过所述钝化层和绝缘层内的过孔与所述硅岛的表面接触，所述漏极通过所述钝化层和绝缘层内的过孔与所述硅岛和所述透明电极接触，完成薄膜晶体管的制作。