[发明专利]离子源系统和离子束流系统有效
| 申请号： | 201310297942.6 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104299871A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 洪俊华;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/302 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 朱水平;王聪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子源系统和离子束流系统。所述离子源系统包括一离子源反应腔，其特征在于，所述离子源系统还包括一引出电极组，所述引出电极组的引出狭缝与所述离子源反应腔的狭缝开口对应，所述引出电极组调节所述引出狭缝处的等离子体弯月面，所述等离子体弯月面在所述引出狭缝的狭缝方向上聚焦离子束流和/或在所述引出狭缝的狭缝方向的垂直方向上发散离子束流。本发明通过特有的离子源扩展方式，能够在相匹配的束流传输系统结构下，避开了加大束流强度的瓶颈，从而可成倍地增大离子束在工件上的流强，提高注入离子束的带状分布均匀性，减少带状离子束的束流调整时间和束流强度损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 系统 离子束 | ||
【主权项】：
一种离子源系统，包括一离子源反应腔，其特征在于，所述离子源系统还包括一引出电极组，所述引出电极组的引出狭缝与所述离子源反应腔的狭缝开口对应，所述引出电极组调节所述引出狭缝处的等离子体弯月面，从而在所述引出狭缝的狭缝方向上聚焦离子束流和/或在所述引出狭缝的狭缝方向的垂直方向上发散离子束流。
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