[发明专利]集成多层磁阻传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201310297959.1 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103543417A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | D·帕西;S·泽比尼;B·维格纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R3/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 多层 磁阻 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁场传感器(30；110；120；120’；150；170)，包括：芯片(100)，包括具有第一表面(51a)和第二表面(51b)的衬底(51)以及覆盖所述第一表面(51a)的绝缘层(78)；第一磁阻器(33；114c；124c)，在所述绝缘层中延伸并且具有主磁化轴线(EA)和副磁化轴线(HA)；第二磁阻器(35；114a；124a)，在所述绝缘层中延伸并且具有主磁化轴线(EA)和副磁化轴线(HA)，所述第二磁阻器(35；114a；124a)的所述主磁化轴线(EA)在横切于所述第一磁阻器(33；114c；124c)的所述主磁化轴线(EA)的方向上延伸，并且所述第二磁阻器(35；114a；124a)的所述副磁化轴线(HA)在横切于所述第一磁阻器(33；114c；124c)的所述副磁化轴线(HA)的方向上延伸；第一磁场发生器(32；112c；122c)，被配置为用于产生具有沿着所述第一磁阻器(33；114c；124c)的所述主磁化轴线的场线的第一磁场；以及第二磁场发生器(31；112a；122a)，被配置为用于产生具有沿着所述第二磁阻器(35；114a；124a)的所述主磁化轴线的场线的第二磁场，所述传感器的特征在于，所述第一磁阻器和所述第二磁阻器(33，35；114c，114a；124c，124a)以距所述第一表面(51a)彼此不同的相应的第一距离和第二距离在所述绝缘层中延伸。
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