[发明专利]快闪存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201310298080.9 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104299944B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 孙光宇;宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种快闪存储器及其形成方法，其中所述快闪存储器包括：基底；所述基底上由下至上依次设置的隧道介质层、浮置栅极、栅间介质层和控制栅极；所述隧道介质层包括凸起，所述浮置栅极覆盖所述凸起的上表面和侧壁。本发明提供的快闪存储器具有很高的电容耦合率。 | ||
| 搜索关键词： | 快闪存储器 隧道介质层 浮置栅极 基底 凸起 电容耦合率 栅间介质层 控制栅极 依次设置 上表面 侧壁 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成隧道介质层，所述隧道介质层包括凸起，所述凸起定义浮置栅极的位置，所述隧道介质层的材料为低k材料，低k材料为无定形碳氮、多晶硼氮、氟硅玻璃、多孔SiOCH和多孔金刚石中的一种或几种；在所述隧道介质层上由下至上依次形成浮置栅极、栅间介质层和控制栅极，所述浮置栅极覆盖所述凸起的上表面和侧壁，所述栅间介质层的材料为高k材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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