[发明专利]InN/AlN/玻璃结构的制备方法

摘要

本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜的InN/AlN/玻璃结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，加热玻璃基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝、氮气，控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在玻璃基片的AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄厚度为30～200nm。3）继续采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将玻璃基片加热至200℃～500℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气。

主权项

InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空，加热玻璃基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝、氮气，控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在玻璃基片的AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄厚度为30～200nm；3）继续采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将玻璃基片加热至200℃～500℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（2～5）：（80～150），控制气体总压强，电子回旋共振反应沉积制备的InN薄膜，InN薄膜的厚度为200nm～800nm，得到在AlN缓冲层薄膜/玻璃结构上的InN光电薄膜。