[发明专利]互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310299375.8 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104299939B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构的形成方法，包括提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层；在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述半导体基底表面；在所述开口内形成填充满开口的金属层，所述金属层表面与介质层顶部平齐；向所述金属层和介质层表面通入含甲基的锗烷气体，对金属层表面进行锗化处理，形成金属帽层；在所述金属帽层和所述介质层表面形成介质帽层。本发明提供的互连结构的形成方法，在提高互连结构抗电迁移能力的同时，能有效减少互连结构介质层受到的损伤，减小互连结构的RC延迟，提高互连结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层；在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述半导体基底表面；在所述开口内形成填充满开口的金属层，所述金属层表面与介质层顶部平齐；向所述金属层和介质层表面通入含甲基的锗烷气体，对金属层表面进行锗化处理，形成金属帽层；在所述金属帽层和所述介质层表面形成介质帽层；所述含甲基的锗烷气体为二甲基锗烷、三甲基锗烷或四甲基锗烷；所述介质层的材料为低k介质材料，所述低k介质材料多为含有甲基团的多孔材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
