[发明专利]阵列基板制备方法、阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201310300658.X | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103390592A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘政;任章淳;王祖强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/28;H01L21/268;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，涉及一种阵列基板制备方法、阵列基板以及显示装置。一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成薄膜晶体管和形成存储电容的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述存储电容包括第一极板和第二极板，其中，所述源极、所述漏极与所述第一极板同层设置，且由非晶硅层通过一次离子注入工艺、并经过激光照射工艺对形成所述非晶硅层的非晶硅材料进行晶化以及对掺杂离子进行激活而形成。本发明的有益效果是：大大节省了工艺步骤和工艺成本，使得低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的大规模量产易于实现；还同时提高了阵列基板的性能以及相应的显示装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成薄膜晶体管和形成存储电容的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述存储电容包括第一极板和第二极板，其特征在于，所述源极、所述漏极与所述第一极板同层设置，且由非晶硅层通过一次离子注入工艺、并经过激光照射工艺对形成所述非晶硅层的非晶硅材料进行晶化以及对掺杂离子进行激活而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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