[发明专利]一种制备铜铝硫薄膜的方法

摘要

一种制备铜铝硫薄膜的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤获得，首先清洗玻璃基片，然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O、CH4N2S放入溶剂中，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将此密闭容器进行加热后取出样品并干燥，得到铜铝硫光电薄膜。本发明不需要高温真空条件、对设备仪器要求低并容易操作、生产成本低、生产效率高等优点。所得铜铝硫光电薄膜择优取向生长且有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铝硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

主权项

一种制备铜铝硫薄膜的方法，包括如下步骤： a.玻璃基片的清洗； b.将0.8～1.5份CuCl2·2H2O、1.7～3.3份Al(NO3)3·9H2O、及1.0～2.5份CH4N2S放入30～150份溶剂中均匀混合； c.在匀胶机上吸附基片并在表面均匀涂抹步骤b所述溶液，后烘干，得到前驱体薄膜样品； d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有1.791份水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触；将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～20小时，然后冷却到室温取出； e.将步骤d所得产物，进行干燥，得到铜铝硫薄膜。