[发明专利]一种制备铜铝硫光电薄膜的方法

摘要

一种铜铝硫薄膜的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗基片，然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O放入溶剂中，采用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨和升华硫的可密闭容器中，使前驱体薄膜样品不与水合联氨和升华硫接触，最后进行干燥，得到铜铝硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铝硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铝硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的制备方法。

主权项

一种制备铜铝硫光电薄膜的方法，包括如下顺序的步骤： a.玻璃基片或硅基片的清洗； b.将0.8～1.5份CuCl2·2H2O、1.7～3.3份Al(NO3)3·9H2O放入30～120份溶剂中，使溶液中的物质均匀混合； c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品； d.将0.375份的升华硫放入有水合联氨的可密闭容器，使升华硫与水合联氨混合； e.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入步骤d所得有水合联氨和升华硫的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨和升华硫接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～60h小时，然后冷却到室温取出； f.将步骤e所得产物，进行自然干燥，得到铜铝硫光电薄膜。