[发明专利]一种金属纳米叉指光栅的制备方法有效
| 申请号： | 201310301646.9 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104142530A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;孙伟杰;李林;全保刚;夏晓翔;顾长志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王艺 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属纳米叉指光栅的制备方法，其包括以下步骤：步骤A：在清洗好的衬底基片上，采用镀膜设备生长一定厚度的金属膜；步骤B：对所述金属膜旋涂光刻胶，采用电子束光刻方法在光刻胶上制备叉指光栅；步骤C：采用离子束刻蚀方法将所述叉指光栅转移到金属膜上；步骤D：在热丙酮溶液中洗去金属膜和叉指光栅上的残胶，再使用微波等离子体去胶机去掉残留有机物。上述制备方法采用了电子束光刻和离子束刻蚀技术，能够实现纳米尺寸的结构加工，精确控制叉指型金属光栅的结构周期，有效的改变光栅的结构周期，缝宽及线宽；且通过本方法制备的叉指光栅，兼有纳米电极和纳米光栅的两种功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：在清洗好的衬底基片上，采用镀膜设备生长金属膜；步骤B：对所述金属膜旋涂光刻胶，采用电子束光刻方法在光刻胶上制备叉指光栅；步骤C：采用离子束刻蚀方法将所述叉指光栅转移到金属膜上；步骤D：洗去金属膜和叉指光栅上的残胶，以及去掉上面的残留有机物。
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