[发明专利]一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法无效
| 申请号： | 201310302145.2 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103367125A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 马桂艳 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）在三氯氧磷中加入三氯化磷作为磷源；（2）氧化：将制好绒面的多晶硅片放置在扩散炉内通入氧气；（3）沉积：在扩散炉内通入携带有磷源和氧气的混合气体；（4）扩散：扩散炉保持一定温度，使沉积的磷向硅片内部进行扩散。所述方法提高了多晶硅片内少子的寿命，有利于提升扩散的吸杂效果，减小高温过程带来的晶格损伤，进而提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 改变 多晶 硅片 成分 提高 扩散 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在三氯氧磷中加入三氯化磷作为磷源；（2）氧化：将制好绒面的多晶硅片放置在扩散炉内通入氧气；（3）沉积：在扩散炉内通入携带有磷源和氧气的混合气体； （4）扩散：扩散炉保持一定温度，使沉积的磷向硅片内部进行扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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