[发明专利]基于热电压和阈值电压的基准电压源

摘要

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种基于阈值电压和热电压的纯CMOS基准电压源。本发明公开了一种基于阈值电压和热电压的基准电压源。本发明的技术方案是，基于热电压和阈值电压的基准电压源，由12个NMOS管和14个PMOS管构成。本发明利用阈值电压和热电压与温度的不同关系，通过电压叠加输出基准电压，达到降低其温度系数的目的。本发明的基准电压源克服了传统基准电压源结构复杂、功耗较大、版图面积较大、与CMOS兼容性差等问题，摆脱了传统基准电压源中对于电阻、双极性晶体管等器件的依赖。本发明全部采用MOS管，不仅与CMOS工艺完全兼容，节省芯片面积，还克服了VBE随温度的非线性问题。

主权项

基于热电压和阈值电压的基准电压源，其特征在于，包括：12个NMOS管和14个PMOS管；具体连接关系如下：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管、第七PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管以及第十三PMOS管的源端接电源电压；第一PMOS管的栅端、第一NMOS管的源端与漏端、第二NMOS管的源端、第三NMOS管的源端、第四NMOS管的源端、第六NMOS管的源端以及第十四PMOS管的漏端均接地电位；第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的栅端均与第一NMOS管的栅端相连接；第二NMOS管栅端与漏端、第三NMOS管的栅端、第四NMOS管的栅端、第四PMOS管的漏端均与第二PMOS管的漏端相连接；第三PMOS管的栅端和漏端均与第四PMOS管的源端相连接；第四PMOS管的栅端、第四NMOS管的漏端均与第八PMOS管的漏端相连接；第五PMOS管的漏端与第六PMOS管的源端相连接；第五PMOS管的栅端、第六PMOS管的栅端和漏端、第三NMOS管的漏端均与第八PMOS管的栅端相连接；第七PMOS管的栅端和漏端、第九PMOS管的栅端、第十PMOS管的栅端、第十一PMOS管的栅端、第十二PMOS管的栅端、第十三PMOS管的栅端均与第八PMOS管的源端相连接；、第五NMOS管的栅端和漏端、第六NMOS管的栅端均与第九PMOS管的漏端相连接；第五NMOS管的源端、第六NMOS管的漏端均与第八NMOS管的源端相连接；第七NMOS管的栅端和漏端、第八NMOS管的栅端均与第十PMOS管的漏端相连接；第七NMOS管的源端、第八NMOS管的漏端均与第十NMOS管的源端相连接；第九NMOS管的栅端和漏端、第十NMOS管的栅端均与第十一PMOS管的漏端相连接；第九NMOS管的源端、第十NMOS管的漏端均与第十二NMOS管的源端相连接；第十一NMOS管的栅端和漏端、第十二NMOS管的栅端均与第十二PMOS管的漏端相连接；第十一NMOS管的源端、第十二NMOS管的漏端均与第十四PMOS管的栅端相连接；第十四PMOS管的源端与第十三PMOS管的漏端相连接。