[发明专利]阻变存储器及其操作方法和制造方法有效
| 申请号： | 201310302371.0 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103390629A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;张飞飞;高滨;陈冰;刘力锋;刘晓彦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种阻变存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：衬底；衬底隔离层，设置在衬底上；多个叠层结构，设置在衬底隔离层上；多个梳状金属层，沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上，每个梳状金属层的梳齿夹在相邻的叠层结构之间；以及多个阻变材料层，每个阻变材料层形成在相应的一个梳状金属层与所述衬底隔离层之间以及所述相应的一个梳状金属层与所述多个叠层结构之间。还提供了该阻变存储器的操作方法和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 操作方法 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：衬底；衬底隔离层，设置在衬底上；多个叠层结构，设置在衬底隔离层上；多个梳状金属层，沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上，每个梳状金属层的梳齿夹在相邻的叠层结构之间；以及多个阻变材料层，每个阻变材料层形成在相应的一个梳状金属层与所述衬底隔离层之间以及所述相应的一个梳状金属层与所述多个叠层结构之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
