[发明专利]密封的浅沟槽隔离区域及其形成方法

摘要

一种用于为半导体器件形成密封的浅沟槽隔离(STI)区域的方法包括在衬底中形成STI区域，STI区域包括STI填充；在STI区域的STI填充中形成密封凹陷；并且在STI填充之上的密封凹陷中形成密封层。

主权项

一种用于为半导体器件形成密封的浅沟槽隔离STI区域的方法，所述方法包括：在衬底中形成STI区域，所述STI区域包括STI填充；在所述STI区域的所述STI填充中形成密封凹陷；并且在所述STI填充之上的所述密封凹陷中形成密封层，其中所述密封层包括高k材料；在所述密封层之上形成氧化物填充；平坦化所述氧化物的顶表面，使得所述氧化物填充的所述顶表面与焊盘氮化物层的顶表面齐平，其中所述焊盘氮化物层位于焊盘氧化物层上面，所述焊盘氧化物层位于所述衬底的顶表面上；在平坦化所述氧化物填充的所述顶表面之后，去除所述密封层的翼部，所述密封层的所述翼部位于所述氧化物填充与所述焊盘氮化物层之间；在去除所述密封层的所述翼部之后去除所述焊盘氮化物层；并且在去除所述焊盘氮化物层之后去除所述焊盘氧化物层和所述氧化物填充。