[发明专利]SONOS器件中ONO结构的制造方法有效
| 申请号： | 201310302913.4 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103346128A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;孙天拓 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS器件中ONO结构的制造方法包括：制备底层二氧化硅；制备夹层氮化硅；采用低压自由基氧化法使夹层氮化硅的顶层与自由基反应生成二氧化硅层。本发明提出的利用炉管低压自由基氧化的工艺方法来制备ONO结构中的顶层二氧化硅，可以使顶层二氧化硅层均具有较好的厚度均匀度，从而提高ONO结构三个层次的厚度均匀度；与现有技术的HTO淀积和高温致密化两步法工艺相比，简化了顶层致密化工艺步骤，使得工艺更简单，适于工业化；本发明具有较高的单位小时产量。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 器件 ono 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，包括以下步骤：步骤S01，制备底层二氧化硅；步骤S02，制备夹层氮化硅；步骤S03，制备顶层二氧化硅；其特征在于：步骤S03包括采用低压自由基氧化法使夹层氮化硅的顶层与自由基反应生成二氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310302913.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电动百叶隐形挂件
- 下一篇：一种制备Ⅰ/Ⅱ胶原双层复合胶原膜的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
