[发明专利]一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器

摘要

本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。

主权项

一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，包括：衬底（1），下限制层（2），下波导层（3），具有量子阱结构的有源层（4），上波导层（5），上限制层（6），欧姆接触层（7），电绝缘介质层（8），正面电极（9），背面电极（10）；衬底（1）、下限制层（2）、下波导层（3）、具有量子阱结构的有源层（4）、上波导层（5）、上限制层（6）、欧姆接触层（7）从下至上依次相邻，腐蚀除去欧姆接触层（7）和上限制层（6）的四边，在欧姆接触层（7）的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层（7）上下贯通，上限制层（6）上下不贯通；腐蚀去除上限制层（6）未贯通部分的四角，上限制层（6）的左侧形成第二脊型台，上限制层（6）的右侧形成第三脊型台，第一、二、三脊型台的水平中心线共面，腐蚀后上限制层（6）的四角不贯通；电绝缘介质层（8）覆盖于上限制层（6）的上表面以及第一脊型台的侧面，正面电极（9）覆盖在电绝缘介质层（8）和第一脊型台的上表面，背面电极（10）生长在衬底（1）上。