[发明专利]三维多孔的钴基/石墨烯复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201310303803.X | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103400967A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 何雨石;马晶晶;马紫峰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 牛山;陈少凌 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维多孔的钴基/石墨烯复合材料及其制备方法;该复合材料由要由钴基材料和石墨烯组成;石墨烯构成多孔的三维立体导电网络,并将钴基材料包覆在其导电网络中,形成三维多孔的钴基/石墨烯复合材料;制备时,采用溶剂热原位一步合成方法,将石墨烯和钴盐前驱体分散在溶剂中,置于反应釜中进行溶剂热反应,冷冻干燥即得。将该复合材料用于锂离子电池中,在电流密度高达6400mA/g时进行恒流充放电测试,30次循环后的可逆容量仍稳定在400mAh/g以上。本发明的优点在于,原料廉价易得,成本低廉,产率高,操作过程简单安全,环境友好,产品结构稳定,适合大规模工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 三维 多孔 石墨 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三维多孔的钴基/石墨烯复合材料,其特征在于,所述复合材料由粒径为50nm~1μm的钴基材料和石墨烯组成,所述钴基材料在复合材料中的质量百分比为5%~95%;所述石墨烯构成多孔的三维立体导电网络,并将所述钴基材料包覆在其导电网络中,形成孔径为500nm~15μm的三维多孔的所述复合材料。
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